Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V

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Bárbara González-Rolón
Fernando Ireta-Moreno

Resumen

El proceso de fabricación para varistores de media tensión de 13 000 V a 34 000 V de ZnO consistió en dopar con Sb2O3, Bi2O3 y optimizarlos en términos de la composición de inicio, con una relación de Sb2O3/Bi2O3 de 1.7, y el uso de aditivos para cerámicas, la temperatura de sinterizado fue de 1150ºC ± 2ºC. Se investigó la homogeneidad de la microestructura. Se determinaron las propiedades eléctricas mediante la determinación de la gráfica I-V. Las características eléctricas son discutidas.

Detalles del artículo

Cómo citar
González-Rolón, B., & Ireta-Moreno, F. (2011). Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V. Ingeniería Investigación Y Tecnología, 12(2). Recuperado a partir de https://www.journals.unam.mx/index.php/ingenieria/article/view/26985